CSD87312Q3E

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CSD87312Q3E

EXSHINE Modello di prodotti:EX-CSD87312Q3E
fabbricante Modello di prodotti:CSD87312Q3E
fabbricante / Marca:Texas Instruments
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:Contiene piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 1.3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON (3.3x3.3)
Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 33 mOhm @ 7A , 8V
Potenza - Max 2.5W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi 296-35526-2
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
codice articolo del costruttore CSD87312Q3E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET Logic Level Gate
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A

Altri

Pacco standard 2,500
Altri nomi 296-35526-2

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