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CSD87335Q3D
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD87335Q3D |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD87335Q3D |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CSD87335Q3D |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD87335Q3D
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
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- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.9V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-LSON (3.3x3.3) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - |
| Potenza - Max | 6W |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 8-PowerLDFN |
| Altri nomi | 296-43949-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CSD87335Q3D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Standard |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Altri
| Altri nomi | 296-43949-6 |
|---|---|
| Pacco standard | 1 |
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