CSD86311W1723

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CSD86311W1723

EXSHINE Modello di prodotti:EX-CSD86311W1723
fabbricante Modello di prodotti:CSD86311W1723
fabbricante / Marca:Texas Instruments
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:CSD86311W1723
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 12-DSBGA (1.53x1.98)
Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 39 mOhm @ 2A, 8V
Potenza - Max 1.5W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 12-UFBGA, DSBGA
Altri nomi 296-27599-2
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
codice articolo del costruttore CSD86311W1723
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA (1.53x1.98)
Tensione drain-source (Vdss) 25V
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A

Altri

Altri nomi 296-27599-2
Pacco standard 3,000

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