EXSHINE Modello di prodotti: | EX-TPN22006NH,LQ |
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fabbricante Modello di prodotti: | TPN22006NH,LQ |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | TPN22006NH |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Serie | U-MOSVIII-H |
Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
Altri nomi | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
codice articolo del costruttore | TPN22006NH,LQ |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
Descrizione | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Pacco standard | 3,000 |
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Altri nomi | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
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- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.