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TPN1R603PL,L1Q
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-TPN1R603PL,L1Q |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | TPN1R603PL,L1Q |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | TPN1R603PL |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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TPN1R603PL,L1Q
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 10V @ 10µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore | TPN1R603PL,L1Q |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 5,000 |
|---|---|
| Altri nomi | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.