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CSD25211W1015
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD25211W1015 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD25211W1015 |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CSD25211W1015 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD25211W1015
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | -6V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 6-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi | 296-36578-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CSD25211W1015 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | 296-36578-6 |
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