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CSD25201W15
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD25201W15 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD25201W15 |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CSD25201W15 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD25201W15
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 9-DSBGA |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 9-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi | 296-27609-2 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | CSD25201W15 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Altri
| Altri nomi | 296-27609-2 |
|---|---|
| Pacco standard | 3,000 |
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