CSD18542KTT

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EXSHINE Modello di prodotti:EX-CSD18542KTT
fabbricante Modello di prodotti:CSD18542KTT
fabbricante / Marca:Texas Instruments
Breve descrizione:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:1
Scarica il foglio dati:CSD18542KTT
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DDPAK/TO-263-3
Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi 296-44236-2
CSD18542KTT-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard 20 Weeks
codice articolo del costruttore CSD18542KTT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5070pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 60V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)

Altri

Pacco standard 500
Altri nomi 296-44236-2

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