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CSD19501KCS
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD19501KCS |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD19501KCS |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CSD19501KCS |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD19501KCS
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 217W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CSD19501KCS |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 50 |
|---|---|
| Altri nomi | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND |
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