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APTM120A65FT1G
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APTM120A65FT1G |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | APTM120A65FT1G |
| fabbricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | APTM120A65FT1GPower Products Catalog |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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APTM120A65FT1G
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | SP1 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 780 mOhm @ 14A, 10V |
| Potenza - Max | 390W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SP1 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore | APTM120A65FT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7736pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|
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Distributore di Microsemi Corporation
- Micro / sys offre un'ampia gamma di opzioni per i processori, dai costosi computer basati su 80C188 alle centrali elettriche basate su Pentium e ai prodotti periferici e di I / O.
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