EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APTM10UM01FAG |
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fabbricante Modello di prodotti: | APTM10UM01FAG |
fabbricante / Marca: | Microsemi |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | APTM10UM01FAGPower Products Catalog |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 12mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SP6 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 275A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2500W (Tc) |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | SP6 |
Altri nomi | APTM10UM01FAGMI APTM10UM01FAGMI-ND |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
codice articolo del costruttore | APTM10UM01FAG |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60000pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2100nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 860A |
Pacco standard | 1 |
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Altri nomi | APTM10UM01FAGMI APTM10UM01FAGMI-ND |
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