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APTM100A23SCTG

EXSHINE Modello di prodotti:EX-APTM100A23SCTG
fabbricante Modello di prodotti:APTM100A23SCTG
fabbricante / Marca:Microsemi
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:APTM100A23SCTGPower Products Catalog
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore SP4
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 270 mOhm @ 18A, 10V
Potenza - Max 694W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP4
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore APTM100A23SCTG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 308nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Descrizione MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A

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