APTM08TDUM04PG

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APTM08TDUM04PG

EXSHINE Modello di prodotti:EX-APTM08TDUM04PG
fabbricante Modello di prodotti:APTM08TDUM04PG
fabbricante / Marca:Microsemi
Breve descrizione:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:Power Products Catalog
Applicazione:-
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore SP6-P
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5 mOhm @ 60A, 10V
Potenza - Max 138W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP6
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore APTM08TDUM04PG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 153nC @ 10V
Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET Standard
Descrizione espansione Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
Tensione drain-source (Vdss) 75V
Descrizione MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A

Altri

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