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APT70GR65B2DU40

EXSHINE Modello di prodotti:EX-APT70GR65B2DU40
fabbricante Modello di prodotti:APT70GR65B2DU40
fabbricante / Marca:Microsemi
Breve descrizione:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:APT70GR65B2DU40
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Condizione di test 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 18ns/170ns
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Serie -
Potenza - Max 595W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 22 Weeks
codice articolo del costruttore APT70GR65B2DU40
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT NPT
carica gate 305nC
Descrizione espansione IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 280A
Corrente - collettore (Ic) (max) 134A

Altri

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