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APT70GR65B2SCD30

EXSHINE Modello di prodotti:EX-APT70GR65B2SCD30
fabbricante Modello di prodotti:APT70GR65B2SCD30
fabbricante / Marca:Microsemi
Breve descrizione:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:APT70GR65B2SCD30
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Condizione di test 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 19ns/170ns
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Serie *
Potenza - Max 595W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 22 Weeks
codice articolo del costruttore APT70GR65B2SCD30
Tipo IGBT NPT
carica gate 305nC
Descrizione espansione IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 260A
Corrente - collettore (Ic) (max) 134A

Altri

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