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APT70GR65B2SCD30
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APT70GR65B2SCD30 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | APT70GR65B2SCD30 |
| fabbricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descrizione: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | APT70GR65B2SCD30 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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APT70GR65B2SCD30
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Condizione di test | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
| Contenitore dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Serie | * |
| Potenza - Max | 595W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore | APT70GR65B2SCD30 |
| Tipo IGBT | NPT |
| carica gate | 305nC |
| Descrizione espansione | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Descrizione | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 260A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 134A |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|
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Distributore di Microsemi Corporation
- Micro / sys offre un'ampia gamma di opzioni per i processori, dai costosi computer basati su 80C188 alle centrali elettriche basate su Pentium e ai prodotti periferici e di I / O.
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