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APT65GP60L2DQ2G
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APT65GP60L2DQ2G |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | APT65GP60L2DQ2G |
| fabbricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descrizione: | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | APT65GP60L2DQ2(G) |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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APT65GP60L2DQ2G
Disponibile: 90680 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Condizione di test | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 30ns/90ns |
| di scambio energetico | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Potenza - Max | 833W |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-264-3, TO-264AA |
| Altri nomi | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | APT65GP60L2DQ2G |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Tipo IGBT | PT |
| carica gate | 210nC |
| Descrizione espansione | IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole |
| Descrizione | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 250A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 198A |
Altri
| Altri nomi | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
|---|---|
| Pacco standard | 25 |
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Distributore di Microsemi Corporation
- Micro / sys offre un'ampia gamma di opzioni per i processori, dai costosi computer basati su 80C188 alle centrali elettriche basate su Pentium e ai prodotti periferici e di I / O.
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