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APT66M60B2
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APT66M60B2 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | APT66M60B2 |
| fabbricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | Power Products CatalogAPT66M60(B2,L) |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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APT66M60B2
Disponibile: 54920 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 Variant |
| Altri nomi | APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore | APT66M60B2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13190pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 30 |
|---|---|
| Altri nomi | APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND |
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Distributore di Microsemi Corporation
- Micro / sys offre un'ampia gamma di opzioni per i processori, dai costosi computer basati su 80C188 alle centrali elettriche basate su Pentium e ai prodotti periferici e di I / O.
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