RGTH50TS65DGC11

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EXSHINE Modello di prodotti:	EX-RGTH50TS65DGC11
fabbricante Modello di prodotti:	RGTH50TS65DGC11
fabbricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:	IGBT 650V 50A 174W TO-247N
Stato Lead senza piombo / RoHS:	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:	New and unused, Original
Scarica il foglio dati:	RGTH50TS65D
Applicazione:	-
Peso:	-
Sostituzione alternativa:	-

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RGTH50TS65DGC11
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic	2.1V @ 15V, 25A
Condizione di test	400V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C	27ns/94ns
di scambio energetico	-
Contenitore dispositivo fornitore	TO-247N
Serie	-
Tempo di ripristino inverso (trr)	58ns
Potenza - Max	174W
imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	15 Weeks
codice articolo del costruttore	RGTH50TS65DGC11
Tipo di ingresso	Standard
Tipo IGBT	Trench Field Stop
carica gate	49nC
Descrizione espansione	IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N
Descrizione	IGBT 650V 50A 174W TO-247N
Corrente - collettore Pulsed (Icm)	100A
Corrente - collettore (Ic) (max)	50A

Altri

Pacco standard	30

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