RGTH00TS65GC11

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RGTH00TS65GC11

EXSHINE Modello di prodotti:EX-RGTH00TS65GC11
fabbricante Modello di prodotti:RGTH00TS65GC11
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:RGTH00TS65
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Condizione di test 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 39ns/143ns
di scambio energetico -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247N
Serie -
Potenza - Max 277W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks
codice articolo del costruttore RGTH00TS65GC11
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT Trench Field Stop
carica gate 94nC
Descrizione espansione IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
Descrizione IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 200A
Corrente - collettore (Ic) (max) 85A

Altri

Pacco standard 30

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