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QS8J2TR
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-QS8J2TR |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | QS8J2TR |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | QS8J2 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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QS8J2TR
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | TSMT8 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max | 550mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore | QS8J2TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|
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