QS8J11TCR

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QS8J11TCR

EXSHINE Modello di prodotti:EX-QS8J11TCR
fabbricante Modello di prodotti:QS8J11TCR
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:QS8J11
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Potenza - Max 550mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead
Altri nomi QS8J11TCRTR
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
codice articolo del costruttore QS8J11TCR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.5V Drive
Descrizione espansione Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Tensione drain-source (Vdss) 12V
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A

Altri

Pacco standard 3,000
Altri nomi QS8J11TCRTR

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