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IRF6614TR1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF6614TR1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRF6614TR1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRF6614 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRF6614TR1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.25V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET™ ST |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric ST |
| Altri nomi | SP001525534 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore | IRF6614TR1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 40V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 1,000 |
|---|---|
| Altri nomi | SP001525534 |
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