IRF6612TRPBF

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IRF6612TRPBF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IRF6612TRPBF
fabbricante Modello di prodotti:IRF6612TRPBF
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IRF6612(TR)PbF
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX
Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MX
Altri nomi IRF6612TRPBFTR
SP001526866
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore IRF6612TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3970pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 30V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 136A (Tc)

Altri

Altri nomi IRF6612TRPBFTR

SP001526866
Pacco standard 4,800

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