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BSC0502NSIATMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | BSC0502NSIATMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | BSC0502NSI |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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BSC0502NSIATMA1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 43W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | SP001288142 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore | BSC0502NSIATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 26A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 100A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | SP001288142 |
|---|---|
| Pacco standard | 5,000 |
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