BSC050N03LS G

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BSC050N03LS G

EXSHINE Modello di prodotti:EX-BSC050N03LS G
fabbricante Modello di prodotti:BSC050N03LS G
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSC050N03LSG
BSC050N03LSGINTR
BSC050N03LSGINTR-ND
BSC050N03LSGXT
SP000269785
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore BSC050N03LS G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 30V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)

Altri

Pacco standard 5,000
Altri nomi BSC050N03LSG

BSC050N03LSGINTR

BSC050N03LSGINTR-ND

BSC050N03LSGXT

SP000269785

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