FQB8P10TM

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FQB8P10TM

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FQB8P10TM
fabbricante Modello di prodotti:FQB8P10TM
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FQB8P10, FQI8P10
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 530 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi FQB8P10TMDKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 9 Weeks
codice articolo del costruttore FQB8P10TM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

Altri

Altri nomi FQB8P10TMDKR
Pacco standard 1

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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