EXSHINE Modello di prodotti: | EX-FQB8P10TM |
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fabbricante Modello di prodotti: | FQB8P10TM |
fabbricante / Marca: | Fairchild/ON Semiconductor |
Breve descrizione: | MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | FQB8P10, FQI8P10 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | QFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 530 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi | FQB8P10TMDKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 9 Weeks |
codice articolo del costruttore | FQB8P10TM |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Altri nomi | FQB8P10TMDKR |
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Pacco standard | 1 |
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