FQB8N60CFTM

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FQB8N60CFTM

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FQB8N60CFTM
fabbricante Modello di prodotti:FQB8N60CFTM
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FQB8N60CF
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Serie FRFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore FQB8N60CFTM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 600V 6.26A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.26A (Tc)

Altri

Pacco standard 800

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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