FCP099N60E

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FCP099N60E

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FCP099N60E
fabbricante Modello di prodotti:FCP099N60E
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 600V TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FCP099N60E
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220
Serie SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs 99 mOhm @ 18.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
codice articolo del costruttore FCP099N60E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3465pF @ 380V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 600V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione MOSFET N-CH 600V TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)

Altri

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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