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EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SQJQ900E-T1_GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SQJQ900E-T1_GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SQJQzzzE(L) |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Potenza - Max | 135W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Altri nomi | SQJQ900E-T1_GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
codice articolo del costruttore | SQJQ900E-T1_GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
Descrizione | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Altri nomi | SQJQ900E-T1_GE3TR |
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Pacco standard | 2,000 |
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- La gamma di prodotti Vishay è una collezione ineguagliata di semiconduttori discreti (diodi, MOSFET e optoelettronica) e componenti passivi (resistori, induttori e condensatori). Questi componenti sono utilizzati praticamente in tutti i tipi di dispositivi elettronici e apparecchiature nei mercati industriale, informatico, automobilistico, dei consumatori, delle telecomunicazioni, militare, aerospaziale e medico. Vishay è orgogliosa di essere un partner importante con exshinetech.com.