EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SIHD3N50D-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SIHD3N50D-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SIHD3N50D |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | SIHD3N50D-GE3CT SIHD3N50D-GE3CT-ND SIHD3N50DGE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
codice articolo del costruttore | SIHD3N50D-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Pacco standard | 3,000 |
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Altri nomi | SIHD3N50D-GE3CT SIHD3N50D-GE3CT-ND SIHD3N50DGE3 |
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- La gamma di prodotti Vishay è una collezione ineguagliata di semiconduttori discreti (diodi, MOSFET e optoelettronica) e componenti passivi (resistori, induttori e condensatori). Questi componenti sono utilizzati praticamente in tutti i tipi di dispositivi elettronici e apparecchiature nei mercati industriale, informatico, automobilistico, dei consumatori, delle telecomunicazioni, militare, aerospaziale e medico. Vishay è orgogliosa di essere un partner importante con exshinetech.com.