SI8410DB-T2-E1

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SI8410DB-T2-E1

EXSHINE Modello di prodotti:EX-SI8410DB-T2-E1
fabbricante Modello di prodotti:SI8410DB-T2-E1
fabbricante / Marca:Vishay / Siliconix
Breve descrizione:MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:Si8410DB
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 850mV @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 4-Micro Foot (1x1)
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 4-UFBGA
Altri nomi SI8410DB-T2-E1TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 24 Weeks
codice articolo del costruttore SI8410DB-T2-E1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Micro Foot (1x1)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -

Altri

Pacco standard 3,000
Altri nomi SI8410DB-T2-E1TR

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Distributore di Vishay Siliconix

- La gamma di prodotti Vishay è una collezione ineguagliata di semiconduttori discreti (diodi, MOSFET e optoelettronica) e componenti passivi (resistori, induttori e condensatori). Questi componenti sono utilizzati praticamente in tutti i tipi di dispositivi elettronici e apparecchiature nei mercati industriale, informatico, automobilistico, dei consumatori, delle telecomunicazioni, militare, aerospaziale e medico. Vishay è orgogliosa di essere un partner importante con exshinetech.com.

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