EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SI7858ADP-T1-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SI7858ADP-T1-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | Si7858ADP |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
Altri nomi | SI7858ADP-T1-GE3TR SI7858ADPT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks |
codice articolo del costruttore | SI7858ADP-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 6V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 12V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
Descrizione | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Altri nomi | SI7858ADP-T1-GE3TR SI7858ADPT1GE3 |
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Pacco standard | 3,000 |
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