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SI6969BDQ-T1-GE3
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SI6969BDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | SI6969BDQ-T1-GE3 |
| fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
| Breve descrizione: | MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | SI6969BDQ |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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SI6969BDQ-T1-GE3
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Potenza - Max | 830mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | SI6969BDQ-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|
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Distributore di Vishay Siliconix
- La gamma di prodotti Vishay è una collezione ineguagliata di semiconduttori discreti (diodi, MOSFET e optoelettronica) e componenti passivi (resistori, induttori e condensatori). Questi componenti sono utilizzati praticamente in tutti i tipi di dispositivi elettronici e apparecchiature nei mercati industriale, informatico, automobilistico, dei consumatori, delle telecomunicazioni, militare, aerospaziale e medico. Vishay è orgogliosa di essere un partner importante con exshinetech.com.