EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SI4501BDY-T1-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SI4501BDY-T1-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SI4501BDY |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 17 mOhm @ 10A, 10V |
Potenza - Max | 4.5W, 3.1W |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | SI4501BDY-T1-GE3DKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore | SI4501BDY-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 805pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Tipo FET | N and P-Channel, Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V, 8V |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A, 8A |
Pacco standard | 1 |
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Altri nomi | SI4501BDY-T1-GE3DKR |
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