EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SI4102DY-T1-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SI4102DY-T1-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SI4102DY |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 158 mOhm @ 2.7A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | SI4102DY-T1-GE3TR SI4102DYT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore | SI4102DY-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 100V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Pacco standard | 2,500 |
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Altri nomi | SI4102DY-T1-GE3TR SI4102DYT1GE3 |
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