EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SI3585CDV-T1-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SI3585CDV-T1-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SI3585CDV-T1-GE3 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Potenza - Max | 1.4W, 1.3W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Altri nomi | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore | SI3585CDV-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A, 2.1A |
Pacco standard | 3,000 |
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Altri nomi | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
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