SI2399DS-T1-GE3

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SI2399DS-T1-GE3

EXSHINE Modello di prodotti:EX-SI2399DS-T1-GE3
fabbricante Modello di prodotti:SI2399DS-T1-GE3
fabbricante / Marca:Vishay / Siliconix
Breve descrizione:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:SI2399DS-T1-GE3
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 34 mOhm @ 5.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SI2399DS-T1-GE3-ND
SI2399DS-T1-GE3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 24 Weeks
codice articolo del costruttore SI2399DS-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 835pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)

Altri

Altri nomi SI2399DS-T1-GE3-ND

SI2399DS-T1-GE3TR
Pacco standard 3,000

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Distributore di Vishay Siliconix

- La gamma di prodotti Vishay è una collezione ineguagliata di semiconduttori discreti (diodi, MOSFET e optoelettronica) e componenti passivi (resistori, induttori e condensatori). Questi componenti sono utilizzati praticamente in tutti i tipi di dispositivi elettronici e apparecchiature nei mercati industriale, informatico, automobilistico, dei consumatori, delle telecomunicazioni, militare, aerospaziale e medico. Vishay è orgogliosa di essere un partner importante con exshinetech.com.

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