ULN2803AFWG,C,EL

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ULN2803AFWG,C,EL

EXSHINE Modello di prodotti:EX-ULN2803AFWG,C,EL
fabbricante Modello di prodotti:ULN2803AFWG,C,EL
fabbricante / Marca:Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:ULN2803,04APG/AFWG Datasheet
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor 8 NPN Darlington
Contenitore dispositivo fornitore 18-SOL
Serie -
Potenza - Max 1.31W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Altri nomi Q10279048G
Q10590952
ULN2803AFWG (C,EL
ULN2803AFWG (C,ELHA
ULN2803AFWG(5,EL,M
ULN2803AFWG(5,EL,M)
ULN2803AFWG(5ELMTR
ULN2803AFWG(5ELMTR-ND
ULN2803AFWG(C,ELHA
ULN2803AFWG(CELHATR
ULN2803AFWG(CELHATR-ND
ULN2803AFWG(O,EL,M
ULN2803AFWG(OELMTR
ULN2803AFWG(OELMTR-ND
ULN2803AFWG5ELMTR
ULN2803AFWG5ELMTR-ND
ULN2803AFWGCELHA
ULN2803AFWGCELTR
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore ULN2803AFWG,C,EL
Frequenza - transizione -
Descrizione espansione Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
Descrizione TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max) -
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA

Altri

Pacco standard 1,000
Altri nomi Q10279048G

Q10590952

ULN2803AFWG (C,EL

ULN2803AFWG (C,ELHA

ULN2803AFWG(5,EL,M

ULN2803AFWG(5,EL,M)

ULN2803AFWG(5ELMTR

ULN2803AFWG(5ELMTR-ND

ULN2803AFWG(C,ELHA

ULN2803AFWG(CELHATR

ULN2803AFWG(CELHATR-ND

ULN2803AFWG(O,EL,M

ULN2803AFWG(OELMTR

ULN2803AFWG(OELMTR-ND

ULN2803AFWG5ELMTR

ULN2803AFWG5ELMTR-ND

ULN2803AFWGCELHA

ULN2803AFWGCELTR

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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.

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