EXSHINE Modello di prodotti: | EX-TK8P60W,RVQ |
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fabbricante Modello di prodotti: | TK8P60W,RVQ |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | MOSFET N CH 600V 8A DPAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | TK8P60W |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 400µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DPAK |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (max) a Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | TK8P60W,RVQ(S TK8P60WRVQTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
codice articolo del costruttore | TK8P60W,RVQ |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 300V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | Super Junction |
Descrizione espansione | N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK |
Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
Descrizione | MOSFET N CH 600V 8A DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Pacco standard | 2,000 |
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Altri nomi | TK8P60W,RVQ(S TK8P60WRVQTR |
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