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TK39N60W5,S1VF
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-TK39N60W5,S1VF |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | TK39N60W5,S1VF |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | TK39N60W5 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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TK39N60W5,S1VF
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1.9mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 |
| Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 74 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5S1VF |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore | TK39N60W5,S1VF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 30 |
|---|---|
| Altri nomi | TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5S1VF |
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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.