EXSHINE Modello di prodotti: | EX-TK14G65W5,RQ |
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fabbricante Modello di prodotti: | TK14G65W5,RQ |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | TK14G65W5 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 690µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (max) a Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.9A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi | TK14G65W5,RQ(S TK14G65W5RQTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
codice articolo del costruttore | TK14G65W5,RQ |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
Altri nomi | TK14G65W5,RQ(S TK14G65W5RQTR |
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Pacco standard | 1,000 |
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La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.