EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SSM6N16FUTE85LF |
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fabbricante Modello di prodotti: | SSM6N16FUTE85LF |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SSM6N16FU |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 100µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | US6 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
Potenza - Max | 200mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Altri nomi | SSM6N16FU(TE85L,F) SSM6N16FUTE85LFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
codice articolo del costruttore | SSM6N16FUTE85LF |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6 |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
Altri nomi | SSM6N16FU(TE85L,F) SSM6N16FUTE85LFTR |
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Pacco standard | 3,000 |
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La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.