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SSM6L36FE,LM
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SSM6L36FE,LM |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | SSM6L36FE,LM |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | SSM6L36FEMosfets Prod Guide |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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SSM6L36FE,LM
Disponibile: 99356000 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SSM6L36FE(TE85LF)TR SSM6L36FE(TE85LF)TR-ND SSM6L36FE,LM(B SSM6L36FE,LM(T SSM6L36FELMTR SSM6L36FETE85LF |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SSM6L36FE,LM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA, 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA, 330mA |
Altri
| Altri nomi | SSM6L36FE(TE85LF)TR SSM6L36FE(TE85LF)TR-ND SSM6L36FE,LM(B SSM6L36FE,LM(T SSM6L36FELMTR SSM6L36FETE85LF |
|---|---|
| Pacco standard | 4,000 |
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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.