EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SSM6J771G,LF |
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fabbricante Modello di prodotti: | SSM6J771G,LF |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SSM6J771G |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 1mA, 3V |
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Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | U-MOSVI |
Rds On (max) a Id, Vgs | 31 mOhm @ 3A, 8.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-UFBGA, WLCSP |
Altri nomi | SSM6J771G,LF(S SSM6J771GLFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
codice articolo del costruttore | SSM6J771G,LF |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Altri nomi | SSM6J771G,LF(S SSM6J771GLFTR |
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Pacco standard | 3,000 |
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La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.