EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RN2310(TE85L,F) |
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fabbricante Modello di prodotti: | RN2310(TE85L,F) |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | RN2310,11 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | USM |
Serie | - |
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | - |
Resistenza - Base (R1) (ohm) | 4.7k |
Potenza - Max | 100mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
Altri nomi | RN2310(TE85LF) RN2310(TE85LF)-ND RN2310(TE85LF)TR RN2310TE85LF |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
codice articolo del costruttore | RN2310(TE85L,F) |
Frequenza - transizione | 200MHz |
Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Pacco standard | 3,000 |
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Altri nomi | RN2310(TE85LF) RN2310(TE85LF)-ND RN2310(TE85LF)TR RN2310TE85LF |
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- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.