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RN1310(TE85L,F)
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RN1310(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RN1310(TE85L,F) |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | RN13(10,11) |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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RN1310(TE85L,F)
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | USM |
| Serie | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm) | 4.7k |
| Potenza - Max | 100mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | RN1310(TE85LF)TR RN1310TE85LF |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | RN1310(TE85L,F) |
| Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|---|
| Altri nomi | RN1310(TE85LF)TR RN1310TE85LF |
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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.