Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN1112(T5L,F,T)
Foto solo per riferimento Contattaci per ulteriori immagini
RN1112(T5L,F,T)
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RN1112(T5L,F,T) |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RN1112(T5L,F,T) |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | RN1112,1113 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibilità in tempo reale per
RN1112(T5L,F,T)
Disponibile: 60650 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
Disponibile: 60650 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | SSM |
| Serie | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm) | 22k |
| Potenza - Max | 100mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-75, SOT-416 |
| Altri nomi | RN1112(T5LFT)TR RN1112T5LFT |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | RN1112(T5L,F,T) |
| Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Altri
| Altri nomi | RN1112(T5LFT)TR RN1112T5LFT |
|---|---|
| Pacco standard | 3,000 |
Puoi scegliere le seguenti opzioni di pagamento. Si prega di contattare il nostro team di vendita se avete domande.
|
|
T / T (bonifico bancario) Ricezione: 1-4 giorni. |
|
|
Paypal Ricezione: immediatamente. |
|
|
Western Union Ricezione: 1-2 ore. |
|
|
MoneyGram Ricezione: 1-2 ore. |
|
|
Alipay Ricezione: immediatamente. |
Puoi scegliere le seguenti opzioni di spedizione, contatta il nostro team di vendita per verificare i costi di spedizione al tuo indirizzo.
Se non desideri utilizzare il nostro servizio di spedizione, puoi anche organizzare il ritiro dal nostro magazzino o la spedizione tramite il tuo account di corriere.
 |
DHL EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
 |
FEDEX EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
 |
UPS EXPRESS Tempi di consegna: 2-4 giorni. |
 |
TNT EXPRESS Tempi di consegna: 3-6 giorni. |
 |
EMS EXPRESS Tempi di consegna: 7-10 giorni. |
Prodotti correlati
-
ImmagineMfg. Numero di parteProduttoriBreve descrizioneScheda datiDisponibilePrezzo dell'articoloOrdinare on-line -
RN1111N491A-TRRICOHNew Stocks RN1111N491A-TR RICOH SOT23-5vistaInchiesta -
RN1111TE85L.FTOSHIBANew Stocks RN1111TE85L.F TOSHIBA SOT523vistaInchiesta -
RN1111FVTPL3TOSHIBANew Stocks RN1111FVTPL3 TOSHIBA SMD or Through HolevistaInchiesta -
RN1111FV(TPL3)TOSHIBANew Stocks RN1111FV(TPL3) TOSHIBA SMD or Through HolevistaInchiesta -
RN1112ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3ScaricarevistaInchiesta -
RN1112TOSHIBASwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications ICvistaInchiesta -
RN1112FTTE85LFToshibaRN1112FTTE85LF Toshiba SMD New Original StocksvistaInchiesta -
RN1111FTTOSNew Stocks RN1111FT TOS SOT-523vistaInchiesta -
RN1112FSTOSHIBARN1112FS TOSHIBA FSM3 New in stockvistaInchiesta -
RN1112MFV(TPL3)TOSHIBANew Stocks RN1112MFV(TPL3) TOSHIBA SMD or Through HolevistaInchiesta -
RN1112FTOSHIBASwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications ICvistaInchiesta -
RN1112FTTOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ICvistaInchiesta -
RN1111FUTOSHIBANew Stocks RN1111FU TOSHIBA SOT-523vistaInchiesta -
RN1112CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3ScaricarevistaInchiesta -
RN1111FVTOSHIBANew Stocks RN1111FV TOSHIBA SOT-490vistaInchiesta -
RN1112FS(TPL3)TOSHIBANew Stocks RN1112FS(TPL3) TOSHIBA SMD or Through HolevistaInchiesta -
RN1112FUTOSHIBANew Stocks RN1112FU TOSHIBA SOT-523vistaInchiesta -
RN1111MFV(TPL3)TOSHIBANew Stocks RN1111MFV(TPL3) TOSHIBA SMD or Through HolevistaInchiesta -
RN1111MFVTOSHIBARN1111MFV TOSHIBA SOT723 New in stockvistaInchiesta -
RN1112MFVTOSHIBANew Stocks RN1112MFV TOSHIBA SOT-523vistaInchiesta
Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.