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RN1102MFV,L3F
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RN1102MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RN1102MFV,L3F |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | RN1102MFV,L3F |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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RN1102MFV,L3F
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM |
| Serie | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm) | 10k |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | RN1102MFV(TL3T)DKR RN1102MFV(TL3T)DKR-ND RN1102MFVL3F(BDKR RN1102MFVL3F(BDKR-ND RN1102MFVL3FDKR |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore | RN1102MFV,L3F |
| Frequenza - transizione | - |
| Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | RN1102MFV(TL3T)DKR RN1102MFV(TL3T)DKR-ND RN1102MFVL3F(BDKR RN1102MFVL3F(BDKR-ND RN1102MFVL3FDKR |
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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.