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HN3A51F(TE85L,F)
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-HN3A51F(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | HN3A51F(TE85L,F) |
| fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descrizione: | TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | HN3A51F |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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HN3A51F(TE85L,F)
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Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 120V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor | 2 PNP (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SM6 |
| Serie | - |
| Potenza - Max | 300mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-74, SOT-457 |
| Altri nomi | HN3A51F (TE85L,F) HN3A51F(TE85LF)TR HN3A51FTE85LF |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | HN3A51F(TE85L,F) |
| Frequenza - transizione | 100MHz |
| Descrizione espansione | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Descrizione | TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|---|
| Altri nomi | HN3A51F (TE85L,F) HN3A51F(TE85LF)TR HN3A51FTE85LF |
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Distributore di Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluzioni analogiche a circuito integrato (IC) ad alte prestazioni che risolvono problemi critici per le aziende di elettronica. I nostri prodotti proprietari offrono una combinazione unica di caratteristiche e prestazioni che non possono essere trovate altrove nel mercato analogico. I nostri prodotti di seconda fonte sono compatibili con pin e specifiche identiche alle offerte della concorrenza, offrendo un'alternativa ideale per prodotti unici e difficili da proteggere. Fondata nel 2010, Touchstone ha sede a Milpitas, in California. I suoi investitori comprendono Opus Capital e Khosla Ventures.
La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.
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