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EXSHINE Modello di prodotti: | EX-GT50J121(Q) |
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fabbricante Modello di prodotti: | GT50J121(Q) |
fabbricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
Breve descrizione: | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | GT50J121 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
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Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
Condizione di test | 300V, 50A, 13 Ohm, 15V |
Td (on / off) @ 25 ° C | 90ns/300ns |
di scambio energetico | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P(LH) |
Serie | - |
Potenza - Max | 240W |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-3PL |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | GT50J121(Q) |
Tipo di ingresso | Standard |
Tipo IGBT | - |
Descrizione espansione | IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH) |
Descrizione | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 100A |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 50A |
Pacco standard | 100 |
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La nostra missione in Touchstone Semiconductor è la progettazione di circuiti integrati analogici ad alte prestazioni che ti aiutano a risolvere i problemi dei tuoi clienti. Lo facciamo sviluppando circuiti integrati analogici ad alte prestazioni a bassissima potenza che riducono il consumo di energia nei vostri prodotti.